3D RAM(3 DIMESION RAM)： 三维视频处理器专用存储器
CDRAM(Cached DRAM)：高速缓存存储器
CVRAM(Cached VRAM)：高速缓存视频存储器
DRAM(Dynamic RAM)：动态存储器
一种随机存取记忆体
(RAM)，记忆体不会一直保存记忆内容，会随着时间而将内容流失，技术上来说就是，记忆体必须不断的重新的加强
(REFRESHED)
电位差量，否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态。价格较静态记忆体 (SRAM)
便宜，但存取速度较慢，耗电量较大。
EDRAM (Enhanced DRAM)：
增强型动态存储器
EDO RAM(Extended Date Out RAM)：扩展数据模式存储器
EDO SRAM(Extended Date Out SRAM)：扩展数据模式静态存储器
EDO VRAM(Extended Date Out VRAM)：扩展数据模式视频存储器
FPM RAM(Fast Page Mode)：快速页模式DRAM，当一个存取与前一次存取为同一记忆体页 (PAGE)
时，不用传输 ROW 地址以加快存取速度。
由于以页为单位加速，又称为 PAGE MODE MEMORY，存取速度从
120 NS 到 60 NS。 FPM 技术在 EDO DRAM
技术出现之前是最常见的 DRAM 种类。
FRAM(Ferro electric RAM)：
铁电体存储器
MDRAM(Multi Bank DRAM)：多槽动态存储器由
MOSYS 公司所发展的记忆体 (MEMORY)
架构，与传统架构不同的是 MDRAM 将 BANK
的容量缩小，并使每一个 BANK 使用独立的汇流排 (BUS)
输出入埠 (I/O PORT)，这样的结果是 MDRAM 能同时存取数个
BANK，使资料的读写速度加快，并且能够用较小的数量增加记忆体。
NVRAM(Non-Volatile
Random Access Memory)：中断电源时仍能保存资料的随机存取记忆体
(RAM)。
SDRAM(Synchronous DRAM)：同步动态存储器:一种能够与处理器
(CPU) 汇流排 (BUS) 同步运作，时脉可达 66,100,133 MHZ 的 DRAM，并能够同时开启两个记忆体页
(PAGE)。
SGRAM(Signal RAM)：单口存储器
SRAM(Static RAM)： 静态存储器:一种随机存取记忆体
(RAM)，存取速度比 PB SRRAM(Pipeline
Burst SRAM):一种支援
PIPELINED 与冲刺模式 (BURST) 的DRAM 快，不像 DRAM 需要不停的 REFRESH，但制造成本较高，通常用来作为快取
(CACHE) 记忆体使用
SVRAM(Synchronous VRAM)：
同步视频存储器
VRAM(Video RAM)：视频存储器:专为绘图影像卡
(VIDEO ADAPTER) 所设计的随机存取记忆体 (RAM)，与一般 RAM
不同的是，VRAM 能够使 RAMDAC 能够与影像处理器 (PROCESSOR)
同时存取资料，加速图像的显示。
WRAM(Windows RAM)：视频存储器(图形处理能力优于VRAM)有与 VRAM 类似的特性，但速度表现比 VRAM 更佳。
PC100 PC100内存条
按照Intel的定义
PC100
SDRAM规范包含：内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证6层PCB板制作（分别为：信号层、电源层、信号层、基
层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的EEPROM编程规格；详细的
SDRAM组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板。
凡是时钟周期TCK≤10ns,存取时间TAC≤6ns，主板时钟频率设置在100MHz下，并且在BIOS中Chipset Features
Setup选项里SDRAM CASLatency Time（CAS延迟时间）中，CAS可设为2或3并带SPD的SDRAM内存条都是PC100内存条。
从外观上来看，PC100内存条最典型的特征是正面右上角的8脚SOIC封装的小芯片，这就是SPD芯片，如果你没看到这个SPD芯片，板上只留了8个焊点，那么这就不是PC100，但并不是说此内存条无法稳定工作在100MHz.
PC100内存条编号
表示为：PCX-ABC-DEF的形式。
1、X代表工作频率，66MHz或100MHz等
2、A代表最小的CAS Latency数，时钟数一般为2或3
3、B代表最小的tRCD（RAS相对CAS的延时）时间，时钟数一般是2
4、C代表最小tRP（RAS预充电时间），时钟数一般是2
5、D代表最大tAC（Access time from
CLK）时间，多为6ns、7ns等数值
6、E代表SPD的版本号V1.2
7、F是一个保留值为0。
|
PC133 由台湾VIA威盛公司制定的。133MHz的工作环境下正常工作，在其系统时钟周期tCK(System PC133 SDRAM 的数据带宽 1.06 GB/s(64 |
SPD（串行存在检测）
SPD（串行存在检测）是许多SDRAM
DIMM模块所具有的新功能，它使BIOS能够更容易地配置系统以适应SDRAM的性能参数。
，通常是1个8针的SOIC封装（3mm*4mm）型号多为24LC01B，位置一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址宽等信息。
SPD(Serial Presence
Detect串行存在检测)设备是一个8脚的串行EEPROM芯片（Electrically Erasable Programmable
ROM电可擦写存储器），其中存储着DIMM模块的容量、速度、电压以及行、列地址带宽等参数信息。BIOS在上电检测阶段读取这些参数，然后自动地调整
CMOS有关选项，从而获得最高的性能和可靠性。
没有SPD，在使用EDO DIMM时不会有问题，由于SDRAM以EDO
RAM两倍的速度工作,使用没有SPD的SDRAM DIMM时系统无法启动。
带有SPD的DIMM的正面靠右边的地方有一个8脚3mm*4mm的SOIC封装的256字节的EEPROM小芯片。型号以24LC01B居多。带有SPD的DIMM能够用于所有支持SDRAM的主板，有些主板要求SDRAM必须带有SPD。
内存芯片的标识
内存芯片的标识中通常包括：厂商代号、单片容量、芯片类型、工作速度、生产日期等，以及电压、容量系数和特殊标识。
以“??XXX64160AT-10”为例，“??”是厂商的标志代号。
1、厂商代号：
| AAA | NMB |
| BM | IBM |
| HM | Hitachi日立 |
| HY | Hyundai 现代电子 |
| HYB | Siemens 西门子 |
| GM | LG-Semicon |
| KM或M | Samsung 三星 |
| LH | SHARP 夏普 |
| M5M | Hitsubishi |
| MB | Fujitsu 富士通 |
| MCM | Motorola |
| MN | Matsushita |
| MSM | OKI |
| MT | Micron 美凯龙 |
| NN | NPNX |
| TC或TD | Toshiba东芝 |
| TI | TMS德州仪器 |
| uPD | NEC日电 |
2、xxx 厂商内部标识
3、64是指64Mbit的容量
注意是bit[位]，而不是Byte[字节]
4、16表示每块小芯片的位数是16位，对于现在64位的总线系统，需4片这样的芯片才能构成可用的SIMM内存条:64Mbit/8*(64/16)=32MB，它就是32MB的内存。如果SIMM内存条上有8片这样的小芯片，当然就是8/4*32=128MB一条的内存。
5、0表示这是一条SDRAM；
6、“-”后的数字表示芯片的系统时钟周期或存取时间。通常在“-”前的第一个数字标示的是内存的类型标识，单数是EDO
RAM，双数则是SDRAM。
位组(Byte):，一组二进位
(BINARY) 的位 (BIT) 集合。
通常称 8
个位为一个位组，但是这只是习惯，而大部分的系统也都定义
8
个位为一个位组，其它数目的位组定义也可以使用，只是可能会产生误解。
位组的计量单位有:
1。 KILOBYTE，KB，2 的 10 次方 : 1024 BYTE。
2。 MEGABYTE，MB，2 的 20 次方 : 1048576 BYTE，或 1024 KBYTE。
3。 GIGABYTE，GB，2 的 30 次方 : 1073741824 BYTE，或 1024 MEGABYTE。
4。 TERABYTE，TB，2 的 40 次方 : 1099511627776 BYTE，或 1024 GIGABYTE。
5。 PETABYTE，2 的 50 次方 : 1125899906842624 BYTE，或 1024 TERABYTE。
6。 EXABYTE，2 的 60 次方 : 1152921504606846976 BYTE，或 1024 PETABYTE。
7。 ZETTABYTE，2 的 70 次方 : 1024 EXABYTE。
8。 YOTTABYTE，2 的 80 次方 : 1024 ZETTABYTE。
内存(Memory):记忆体，储存资料的装置，主要分为为
RAM 或 ROM。
SIMM(Single In_Line
Memory Module):一种将记忆体 (MEMORY) 芯片 (CHIP)
焊在表面的电路板模组，使记忆体的安装与拆除较直接安装芯片为容易。SIMM
的资料宽度为 32 位 (BIT)，而一种新技术称为 DIMM
的记忆体模组，资料宽度为 64 位
DIMM (Dual
In-Line Memory Module):将数个记忆体
(MEMORY) 芯片 (CHIP) 装于一块电路板上的记忆体模组，DIMM
的资料信道宽度是 SIMM 的两倍，为 64 位 (BIT)。
ECC (Error-Correcting
Code):一种含有特殊电路，能够自我检查错误及更正的记忆体
(MEMORY)。
时钟周期：它代表RAM所能运行的最大频率，这个数字越小说明所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC-100
SDRAM来说，它芯片上的标识-10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHZ的外频下正常工作。
存取时间：代表读取数据所延迟的时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为7、8或10ns。
CAS的延迟时间。这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。如PC133的SDRAM在外频为133MHz时，能运行在CAS
Latency = 3，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是三个时钟周期。
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